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中金嶺南韶關冶煉廠高純銦制備技術取得新進展

2023年07月17日 8:33 4209次瀏覽 來源:   分類: 重點新聞   作者:

7月4日,中金嶺南韶關冶煉廠(以下簡稱韶冶廠)繼成功制備出6N高純鎵和自主合成砷化鎵多晶后,經(jīng)過科研團隊的努力,成功制備出6N高純銦,在高純金屬和半導體領域再次取得重大進展。

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送檢的樣品經(jīng)北京清質(zhì)分析技術有限公司GDMS分析,得出結(jié)論為:“實驗室提純后的銦主要雜質(zhì)均在0.1ppm以下,關鍵的難分離雜質(zhì)元素Sn、Tl、Cd、Pb得到了很好控制,雜質(zhì)元素總含量遠低于1ppm,已經(jīng)達到行業(yè)標準6N銦的水平。”這一成果為后續(xù)的銦深度提純工藝打下堅實基礎。

高純銦主要用于制備化合物半導體材料、CIGS薄膜太陽能電池、ITO靶材,是制備磷化銦半導體的重要原料。銦在提純過程中需采用不同工藝去除不同的雜質(zhì),技術難度大,因此,高純銦等超高純稀散金屬的制備技術成為進入半導體行業(yè)的重要門檻之一。此次成功制備出6N高純銦,意味著韶冶廠在稀散金屬高純制備領域再次取得新進展,夯實了高質(zhì)量發(fā)展基礎。

為確保順利產(chǎn)出高純銦,實驗小組在充分考察調(diào)研的基礎上,積極和設備廠家溝通商討各設計參數(shù),快速掌握各種設備的操作、維護、檢查和運行等情況,經(jīng)過多次改進實驗,克服諸多困難,摸清了各設備及其工藝條件對銦除雜效果的影響,成功制備出6N高純銦,為后續(xù)園區(qū)稀散金屬高純制備項目和半導體襯底材料項目建設奠定堅實基礎。

下一步,韶冶廠將堅持以建成百億級有色金屬資源循環(huán)與功能材料科技型園區(qū)為目標,持續(xù)推動科技創(chuàng)新成果化、產(chǎn)業(yè)化,推動產(chǎn)業(yè)鏈向高端、高附加值延伸,為中金嶺南打造千億級、世界一流的多金屬國際化全產(chǎn)業(yè)鏈資源公司作出新的更大貢獻。

責任編輯:孟慶科

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