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　　光伏制造行業(yè)規(guī)范條件
　　為深入貫徹落實科學發(fā)展觀，引導光伏制造行業(yè)加快轉型升級，推動我國光伏產業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)《國務院關于促進光伏產業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)[2013]24 號）和國家有關法律法規(guī)及產業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應用的原則，制定本規(guī)范條件。
　　一、生產布局與項目設立
　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項目應符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產業(yè)政策和相關產業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。
　　（二）在國家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準的基本農田保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設光伏制造項目。上述區(qū)域內的現(xiàn)有企業(yè)應逐步遷出。
　?。ㄈ﹪栏窨刂菩律蠁渭償U大產能的光伏制造項目。對加強技術創(chuàng)新、降低生產成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。
　　二、生產規(guī)模和工藝技術
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　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應采用工藝先進、節(jié)能環(huán)保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。
　?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發(fā)機構、技術中心或高新技術企業(yè)資質，每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000 萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產量不低于本條第（三）款產能要求的50%。
　?。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產品類型應分別滿足以下要求：
　　1.多晶硅項目每期規(guī)模大于3000 噸/年；
　　2.硅錠年產能不低于1000 噸；
　　3.硅棒年產能不低于1000 噸；
　　4.硅片年產能不低于5000 萬片；
　　5.晶硅電池年產能不低于200MWp；
　　6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp；
　　7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp。
　?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產品應滿足以下要求：
　　1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1 級品的要求；
　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16 和18PPMA；單晶硅3片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于10 和18PPMA；
　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%；
　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%；
　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。
　?。ㄎ澹┬陆ê透臄U建企業(yè)及項目產品應滿足以下要求：
　　1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2 級品以上要求；
　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8 和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8 和6PPMA；
　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%；
　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%；
　　5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。
　?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在2 年內分別不高于3.2%和4.2%，25 年內不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2 年內不高于5%，25 年內不高于20%。
　　三、資源綜合利用及能耗
　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。
　?。ǘ┕夥圃祉椖磕芎膽獫M足以下要求：
　　1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于80 千瓦時/千克，綜合電耗小于140 千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于60 千瓦時/千克，綜合電耗小于100 千瓦時/千克；
　　2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于9 千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7 千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5 千瓦時/千克；
　　3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于50 千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于45 千瓦時/千克；
　　4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60 萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于55 萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40 萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35 萬千瓦時/百萬片；
　　5.電池項目平均綜合能耗小于15 萬千瓦時/MWp；
　　6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8 萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50 萬千瓦時/MWp。

 《國務院關于促進光伏產業(yè)健康發(fā)展的若干意見》

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